مای بی سی | اخبار تکنولوژی | دانلود | آموزش |

بیشتر بخوانیدد

به‌تازگی نتایج آزمایش‌های گوشی گلکسی S7 در بنچمارک Geekbench منتشر شده است. پردازنده‌ی این گوشی در حالت تک هسته‌ای امتیاز 2456 و در حالت چندی هسته‌ای امتیاز 5423 را به‌دست آورده است.

احتمال عرضه‌ی گوشی گلکسی S7 در تاریخ 2 اسفند ماه بسیار زیاد است.

تا این لحظه شایعات زیادی درباره‌ی گوشی گلکسی S7 سامسونگ منتشر شده است. مشخص شده که این گوشی در کشورهای آمریکا و چین با تراشه‌ی اسنپ‌دراگون 820 راهی بازار می‌شود و در کشورهای دیگر با تراشه‌ی اگزینوس 8890 در اختیار علاقه‌مندان قرار می‌گیرد.

سامسونگ سال گذشته به دلیل مشکلات موجود در تراشه‌ی اسنپ‌دراگون 810 تمام مدل‌های گوشی گلکسی S6 و گلکسی نوت 5 را با تراشه‌ی اگزینوس 7420 عرضه کرد.

به‌تازگی اطلاعاتی در سایت چینی Weibo قرار گرفته که استفاده از تراشه‌ی اسنپ‌دراگون 820 در گلکسی S7 را تایید می‌کند. همچنین شرکت سامسونگ این تراشه‌ها را کمی شخصی سازی کرده تا مصرف انرژی کمتری داشته باشند. در بخش دیگری از شایعات گفته شده که سامسونگ در گلکسی S7 از لوله‌های انتقال گرما استفاده کرده تا بتواند گرمای تولید شده در گوشی را کنترل کند.

در ادامه‌ی اطلاعات قرار گرفته در سایت Weibo مشخص شده که پرچم‌دار جدید سامسونگ در حالت تک هسته‌ای امتیاز 2456 و در حالت چند هسته‌ای امتیاز 5423 را در بنچمارک Geekbench به‌دست آورده است. اگر این امتیازها حقیقت داشته باشند کاربران آمریکایی و چینی این گوشی نباید نگران قدرت این تلفن همراه باشند چرا که اسنپ‌دراگون 820 عملکرد خوبی روی این تلفن‌همراه هوشمند دارد.

در شایعات گفته شده که گوشی گلکسی S7 به احتمال زیاد در تاریخ 2 اسفند (21 فوریه)، یک روز قبل از نمایشگاه MWC در شهر بارسلونا به نمایش در می‌آید.

منبع: mag.digikala.com